晶圆光刻胶

KrF光刻胶是以氟化氪（KrF）激光（波长248nm）为曝光光源的光刻胶，
，，
，由成膜树脂、
、、、光酸、、、溶剂及助剂等配制而成，，具有高分辨率
、、、耐刻蚀等优点，，，
，主要应用于0.13μm以上线宽的半导体光刻工艺。。。公司目前已开发的KrF光刻胶产品适用工艺包括Poly
、、、AA
、、
、、Metal
、、Implant、
、Contact Hole、、Via等
，，，应用领域包括存储，，逻辑以及CIS特色工艺（高深宽比应用）。
。。

膜厚100-5000nm

CD ≥120 nm

浸没式ArF光刻胶是以氟化氩（ArF）激光（波长193nm）为曝光光源的光刻胶
，，，，主要用于45nm以下集成电路制造技术节点
。。
。公司已开发的浸没式ArF 光刻胶产品包括正显影（PTD）和负显影(NTD)两类，，，，适用工艺包括Poly、、、、Metal、、、
、Contact Hole、、Via等，，
，，应用领域涉及存储（3D NAND, DRAM）和高性能逻辑器件
。
。

膜厚50-200nm

CD ≥37.5 nm